平成26年度電験一種理論の半導体に関する問題

こんにちは。

昨日は平成26年度一種理論(問3〜7)の勉強をした。

問4の過渡現象は結構簡単です。

問3と問5もそれほど難しくないのですが、解き方を忘れていました。

2周目では完璧に解けるよう覚えておきたいと思います。

問6(MIS構造)と問7(MOSFET)の選択問題はいずれも半導体です。

問7は平成22年度の問7で類似問題が出題されていますが、

問6は私が知る限り類似問題は出題されておらず、初見で解くのは難しいですね。

問6も問7も計算はそれほど難しくないように思いますので、解き方が分かれば大丈夫です。

半導体に関して私が参考にしている図書は、以下の「新版基礎半導体工学」です。

半導体の基礎的な物性やバイポーラトランジスタなどの半導体素子についてまとめられており、電界効果トランジスタ(MIS構造)に関する解説もされています。

目次は以下の通りです。

 第1章 半導体中の電気伝導

 第2章 pn接合ダイオード

 第3章 金属ー半導体接触

 第4章 バイポーラトランジスタ

 第5章 電界効果トランジスタ

全ページ読んだ訳ではないですが、平成26年度の問題に限らず、過去問の内容を理解するために役に立つものと思います。

気になる方は是非読んでみてください!


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